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Journal of Materials Chemistry C オンライン版「Polarization-Dependent Hole Generation in 222 nm-Band AlGaN-based Far-UVC LED: A Way Forward to the Epi-Growers of MBE and MOCVD」

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公開日：2021-10-25

しかし、Al濃度が高いAlGaN Far-UVC LEDの多重量子井戸（MQW）内のホール濃度の問題対策は非常に重要であり、AlGaN Far-UVC LEDの理論的研究は、この世界中の健康危機の間222nm帯Far-UVCLED技術のエピ成長の検討と実装の証拠を示唆します。　