本研究は、活性領域における3次元ホールの生成と注入に及ぼすAlグレーテッドp型多量子障壁電子ブロック層（Al-grad p-MQB EBL）とAlグレーテッドp-AlGaNホール発生層（HSL）の影響についての調査です。
新設計でUVB LEDの効率は約8.2%、光出力は36mWに向上されました。
200 nm厚のAl薄膜p電極の下に蒸着したサブナノのNi膜がUVB LEDの光反射率に与える影響を検討し、9.6%の効率と40mWの光出力が実現されました。

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